氢气制储运加标准“齐头并进”
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具体而言，制储SKPM图像证明了由电离供体释放到受体晶体中的电子是可移动的，形成一定宽度、空间离域的电子分布。【小结】综上所述，运加作者在两种基准有机半导体单晶表面发现了特定位置的n型掺杂机制。
近日，标准并进美国明尼苏达大学CDanielFrisbie教授和何涛教授（共同通讯作者）描述了两种有机半导体单晶独特的，标准并进特定位置的n型表面掺杂机制，该机制显著改善了电子传输，并为掺杂诱导的空间电荷提供了前所未有的证据。氢气齐（b）Cl2-NDI和PDIF-CN2的分子结构。图二、制储掺杂对n型单晶FET特性的影响（a）47μm厚Cl2-NDI晶体在暴露于N-硅烷蒸气（100μl，制储1h）前后FET ID-VG曲线的变化, 暴露之前（空心方块）和之后（实心圆圈）的
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制储本工作总结了各类型孪晶的长度分数和总孪晶边界。运加而纯Ti的强度则比较一般。